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1956年,在我國十二年科學技術(shù)發(fā)展遠景規(guī)劃中,半導體科學技術(shù)被列為當時國家新技術(shù)四大緊急措施之一。為了創(chuàng)建中國半導體科學技術(shù)的研究發(fā)展基地,國家于1960年9月6日在北京成立中國科學院半導體研究所(以下簡稱半導體所),開啟了中國半導體科學技術(shù)的發(fā)展之路。

半導體所擁有兩個國家級研究中心—國家光電子工藝中心、光電子器件國家工程研究中心;三個國家重點實驗室—半導體超晶格國家重點實驗室、集成光電子學國家重點聯(lián)合實驗室、表面物理國家重點實驗室(半導體所區(qū));兩個院級實驗室(中心)—中科院半導體材料科學重點實驗室和中科院固態(tài)光電信息技術(shù)重點實驗室。此外,還設(shè)有半導體集成技術(shù)工程研究中心、光電子研究發(fā)展中心、半導體照明研發(fā)中心、高速電路與神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)實驗室、納米光電子實驗室、光電系統(tǒng)實驗室、全固態(tài)光源實驗室和元器件檢測中心。

半導體所現(xiàn)有職工700余名。其中科技人員約480余名。包括中國科學院院士9名,中國工程院院士2名,高層次引進人才計劃30人,國家“萬人計劃”入選者6人,國家杰出青年科學基金獲得者20人,“百千萬人才工程”入選者11人,其中黃昆院士榮獲2001年國家最高科學技術(shù)獎。設(shè)有3個博士后流動站,4個一級學科博士培養(yǎng)點,2個專業(yè)學位授權(quán)點。

半導體所高度重視國內(nèi)外交流合作,與地方政府、科研機構(gòu)、大學和企業(yè)等共建了近40個聯(lián)合實驗室,積極為企業(yè)和區(qū)域經(jīng)濟社會發(fā)展服務(wù)。同時積極開展多層次、全方位的國際學術(shù)交流與合作,成績顯著,科學技術(shù)部和國家外國專家局批準成立“國家級國際聯(lián)合研究中心”。并且以自主知識產(chǎn)權(quán)的專利和專有技術(shù)投資,融合社會資本建立了10余家高技術(shù)企業(yè),并實施科研成果轉(zhuǎn)化為現(xiàn)實生產(chǎn)力,已初步形成產(chǎn)業(yè)化、商品化規(guī)模。

半導體所秉承“兩個卓越”和“三個推動”的辦所理念,奮斗不息,勇攀高峰,取得了快速發(fā)展,研究所現(xiàn)已發(fā)展成為集半導體物理、材料、器件研究及其系統(tǒng)集成應(yīng)用于一體的國家級半導體科學技術(shù)的綜合性研究機構(gòu)。

半導體所的中長期發(fā)展戰(zhàn)略目標是:開展與國家發(fā)展密切相關(guān)的、世界科技前沿的基礎(chǔ)性、前瞻性、戰(zhàn)略性科技創(chuàng)新活動,為發(fā)展我國的高新技術(shù)提供源源不斷的動力;以國家重大需求為導向,開展前沿基礎(chǔ)和應(yīng)用技術(shù)研究,為國家科技發(fā)展提供支撐,并為相關(guān)行業(yè)的技術(shù)進步作出貢獻;吸引、聚集和培養(yǎng)國際一流人才;建立具有國際先進水平的、開放的實驗研究和測試平臺,實現(xiàn)科技創(chuàng)新能力的跨越和持續(xù)發(fā)展,成為引領(lǐng)我國半導體科學技術(shù)發(fā)展的火車頭。
院系設(shè)置
半導體超晶格國家重點實驗室
集成光電子學國家重點實驗室
表面物理國家重點實驗室
光電子器件國家工程中心
中科院半導體材料科學重點實驗室
中科院固態(tài)光電信息技術(shù)重點實驗室
光電子研究發(fā)展中心
半導體照明研發(fā)中心
半導體集成技術(shù)工程研究中心
納米光電子實驗室
高速電路與神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)實驗室
全固態(tài)光源實驗室
光電系統(tǒng)實驗室
聯(lián)系方式
地址:北京市海淀區(qū)清華東路甲35號    郵編:100083
E-mail:yjsb@semi.ac.cn    電話:010-82304321

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