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四川大學(xué)934半導(dǎo)體物理及器件基礎(chǔ)考研資料

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四川大學(xué)934半導(dǎo)體物理及器件基礎(chǔ)考研真題資料是由在校研究生學(xué)長(zhǎng)學(xué)姐悉心收集整理的考研資料,能幫助報(bào)考相關(guān)專(zhuān)業(yè)的考生更有效的提高考研專(zhuān)業(yè)課復(fù)習(xí)效率,了解本專(zhuān)業(yè)考研題型、考研重點(diǎn)、考研難度等,做到輕車(chē)熟路,勝券在握。
ps:考研真題是考研備考必備資料,比看幾本厚厚的復(fù)習(xí)書(shū)更有效。

適用專(zhuān)業(yè):
等離子體物理、微電子學(xué)與固體電子學(xué)等等

參考書(shū)目:
官網(wǎng)暫未公布,考生可參照招生簡(jiǎn)章(資料不包含參考書(shū)目哦)
 
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一、四川大學(xué)考研真題:
《934半導(dǎo)體物理及器件基礎(chǔ)考研真題》:2011 2013 2014 
2015 2016  
(真題是考研必備的資料,歷年考題的重復(fù)度極高,做歷年考研真題,能讓你掌握知識(shí)點(diǎn)的重要部分,根據(jù)真題,可以分析最近幾年的的出題趨勢(shì),考題類(lèi)型,重點(diǎn)難點(diǎn)、甚至重題等。因?yàn)樗拇ù髮W(xué)真題重復(fù)率極高,故學(xué)校從15年后封題,以上真題彌足珍貴)
二、四川大學(xué)934半導(dǎo)體物理及器件基礎(chǔ)考研資料:
1、半導(dǎo)體物理與器件復(fù)習(xí)資料:

(1)《四川大學(xué)《半導(dǎo)體物理與器件》教學(xué)大綱》 3頁(yè) (本資料為川大內(nèi)部教學(xué)大綱,劃出書(shū)本重難點(diǎn),節(jié)省考生復(fù)習(xí)時(shí)間)
(2)《四川大學(xué)《半導(dǎo)體物理與器件》課后小結(jié)與重要術(shù)語(yǔ)解釋》 13頁(yè) (本資料按章節(jié)整理,條理清晰,內(nèi)容全面,適合考生復(fù)習(xí))
(3)《四川大學(xué)半導(dǎo)體內(nèi)部講義》 38頁(yè) (本資料為考研內(nèi)部講義ppt,適合考生進(jìn)行復(fù)習(xí)整理)
(4)《四川大學(xué)半導(dǎo)體物理(劉恩科)詳細(xì)歸納總結(jié)》 24頁(yè) (本資料分章節(jié)給出各章的習(xí)題以及答案,方便考生進(jìn)行練手)
(5)《四川大學(xué)半導(dǎo)體物理本科試卷》3頁(yè) (本資料為川大內(nèi)部本科期末試卷,與考研題型相似,含金量高)
(6)《四川大學(xué)半導(dǎo)體物理內(nèi)部筆記》 28頁(yè) (本資料為手寫(xiě)筆記,方便考生進(jìn)行復(fù)習(xí)和整理)
(7)《四川大學(xué)半導(dǎo)體物理學(xué)(劉恩科)第六、七版一到八章課后題答案》 49頁(yè) (本資料為上課課本課后習(xí)題的答案,全面詳盡,考生可結(jié)合課本一起復(fù)習(xí))
2、VLSI設(shè)計(jì)基礎(chǔ)復(fù)習(xí)資料:
(1)《四川大學(xué)VLSI_復(fù)習(xí)題與思考題》 25頁(yè)(本資料給出各章的思考題,均為??碱},適合考生復(fù)習(xí))
(2)《四川大學(xué)VLSI設(shè)計(jì)基礎(chǔ)復(fù)習(xí)資料》13頁(yè)(本資料共給出30個(gè)復(fù)習(xí)題,含金量很高,考生應(yīng)予以重視)
3、微電子復(fù)習(xí)資料:
(1)《四川大學(xué)微電子工程學(xué)復(fù)習(xí)題》 10頁(yè)(本資料分章節(jié)整理,為每章重點(diǎn)復(fù)習(xí)題,方便考生進(jìn)行練手)
(2)《四川大學(xué)微電子復(fù)習(xí)總結(jié)修訂版》 4頁(yè) (本資料分章節(jié)整理出各章的名詞解釋?zhuān)奖憧忌M(jìn)行記憶和整理)
(3)《四川大學(xué)微電子學(xué)概論復(fù)習(xí)題及答案(詳細(xì)版)》 20頁(yè)(本資料分章節(jié)給出重點(diǎn)問(wèn)題,含金量十分高,節(jié)省復(fù)習(xí)時(shí)間)
三、四川大學(xué)934半導(dǎo)體物理及器件基礎(chǔ)考研贈(zèng)送電子版資料:

(1)《半導(dǎo)體物理_(劉恩科_教材版本)》
(2)《半導(dǎo)體物理_復(fù)習(xí)(劉恩科)》
(3)《半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)》
(4)《微電子制造科學(xué)原理與工程技術(shù)課程復(fù)習(xí)》
(5)《微電子制造科學(xué)原理與技術(shù)(1+2)》
(6)《微電子制造概論-考試復(fù)習(xí)提綱》

資料使用說(shuō)明:
1、考研真題極為寶貴,希望你能夠在所有知識(shí)點(diǎn)都復(fù)習(xí)全面后,再用它來(lái)做正式的模擬。做真題時(shí)要注意計(jì)時(shí),第一遍時(shí)間緊張沒(méi)關(guān)系,分析這個(gè)題目的考點(diǎn)在哪里然后深入記憶,將考點(diǎn)弄懂并標(biāo)記。第二遍,依舊按照考試時(shí)間來(lái),重點(diǎn)在那些有標(biāo)記的題,還不會(huì)的繼續(xù)標(biāo)記,再次強(qiáng)化這個(gè)知識(shí)點(diǎn)。做真題一定要分析考點(diǎn),重點(diǎn)復(fù)習(xí)自己薄弱的考點(diǎn)。
2、筆記更多的是輔助,最根本的是要理解課本,理解考點(diǎn)。筆記要結(jié)合使用,不能完全依賴(lài)筆記。
溫馨小貼士:十月份和十一月份,是最關(guān)鍵的兩個(gè)月,此時(shí)生活要簡(jiǎn)單規(guī)律,適當(dāng)鍛煉(切忌生?。芯?,堅(jiān)持到最后。    
 

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