姓名： 周郁明
導(dǎo)師情況：碩導(dǎo)
學(xué)歷：博士
職稱：副教授
郵編：243032

個(gè)人基本信息：
周郁明，湖北武漢人，1971年5月出生，分別于2004年和2007年畢業(yè)于華中科技大學(xué)微電子學(xué)與固體電子學(xué)專業(yè)，獲工學(xué)碩士和工學(xué)博士學(xué)位。2007年作為引進(jìn)人才進(jìn)入湖南大學(xué)物理與微電子科學(xué)學(xué)院工作，同年底進(jìn)入湖南大學(xué)電氣工程博士后流動(dòng)站工作，2010年8月調(diào)入安徽工業(yè)大學(xué)電氣信息學(xué)院，2013年獲國(guó)家留學(xué)基金委全額資助赴美國(guó)奧本大學(xué)訪學(xué)一年。作為主要研究人員參與了包括國(guó)家自然科學(xué)基金重點(diǎn)項(xiàng)目在內(nèi)的多項(xiàng)課題，主持完成一項(xiàng)湖南省自然科學(xué)基金項(xiàng)目，目前在研一項(xiàng)國(guó)家自然科學(xué)基金面上項(xiàng)目。以第一作者身份已在《Plasma Science and Technology》、《Chinese Physics B》、《電工技術(shù)學(xué)報(bào)》等刊物上發(fā)表10余篇論文（其中SCI收錄4篇，EI收錄8篇）。目前感興趣的研究領(lǐng)域包括：（1）新型功率半導(dǎo)體器件及其應(yīng)用技術(shù)；（2）功率器件與功率集成電路；（3）高頻高功率電源技術(shù)。

科研論文及成果：
[1]周郁明．釩補(bǔ)償度對(duì)SiC光導(dǎo)開(kāi)關(guān)特性影響的研究．電子科技大學(xué)學(xué)報(bào)（自然科學(xué)版），2012．41（6）：937-940．
[2]Zhou Yuming，Aijin Jin．Effects of Vanadium-compensated Concentration on the Electrical Characteristics of SiC Photoconductive Switches．IEEE 7th International Power Electronics and Motion Control Conference，2012，6．
[3]Zhou Yuming，He Yigang．Effect of grain boundary on electric performance of ZnO nanowire transistor with a wrap-around gate．Journal of Central South University of Technology，2011，18（4）：1009-1012．
[4]Zhou Yuming，He Yigang．Effect of grain boundary on the characteristics of poly-Si MIS photodetector．International Journal of Modern Physics B，2011，18（4）：2403-2410．
[5]Zhou Yuming，He Yigang．Simulation of grain boundary effect on characteristics of ZnO thin film transistor by considering the location and orientation of grain boundary．Chinese Physics B，2009，18（9）：3966-3969．
[6]周郁明，何怡剛．短脈沖作用下磁開(kāi)關(guān)的磁場(chǎng)分析．高電壓技術(shù)，2009，35（5）：1118-1121．
[7]周郁明，何怡剛．一種自積分Rogowski線圈波形畸變校正方法的研究．湖南大學(xué)學(xué)報(bào)，2008，35（8）：43-45．
[8]Zhou Yuming，Yu Yuehui．A High Power Semiconductor Switch RSD for Pulsed Power Appications．Plasma Science and Technology，2007，9（5）：622-625．
[9]周郁明，余岳輝．一種高壓RSD開(kāi)關(guān)觸發(fā)方法設(shè)計(jì)．電工技術(shù)學(xué)報(bào)，2007，22（10）：113-116．
[10]周郁明，余岳輝．高壓RSD開(kāi)關(guān)諧振觸發(fā)仿真研究．高電壓技術(shù)，2007，33（6）：33-36．
[11]周郁明，余岳輝．超高速大電流半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)實(shí)驗(yàn)研究．強(qiáng)激光與粒子束，2006，18（3）：447-450．
[12]Zhou Yuming，Yu Yuehui．Turn-on Condition and Characteristics of High Power Semiconductor Switch RSD．IEEE 5th International Power Electronics and Motion Control Conference，2006，8，Vol．2．

在研項(xiàng)目：
[1]國(guó)家自然科學(xué)基金面上項(xiàng)目：高功率4H SiC光導(dǎo)開(kāi)關(guān)超高耐壓形成方法研究，主持，編號(hào)51177003，起止時(shí)間：2012．1-2015．12，經(jīng)費(fèi)：65萬(wàn)元。

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