大連理工大學(xué)導(dǎo)師：王春燕 正文

[導(dǎo)師姓名]
王春燕

[所屬院校]
大連理工大學(xué)

[基本信息]
導(dǎo)師姓名：王春燕
性別：女
人氣指數(shù)：708
所屬院校：大連理工大學(xué)
所屬院系：
職稱：講師（高校）
導(dǎo)師類型：
招生專業(yè)：

[通訊方式]
電子郵件：wangcy@dlut.edu.cn

[個(gè)人簡(jiǎn)述]
王德君，電子信息與電氣工程學(xué)部控制科學(xué)與工程學(xué)院教授，博士生導(dǎo)師。
吉林大學(xué)半導(dǎo)體化學(xué)專業(yè)本科、碩士，清華大學(xué)材料學(xué)博士，先后服務(wù)于北京大學(xué)、名古屋大學(xué)和奈良先端科學(xué)技術(shù)大學(xué)院大學(xué)，現(xiàn)大連理工大學(xué)教授，博士生導(dǎo)師（微電子、控制）。
研究方向:
1.傳感器與傳感網(wǎng)；飛行器智能電子控制及安全SensorChip,Intelligentelectronicsafetycontrol
2.半導(dǎo)體SiC、GaN器件科學(xué)SemiconductorSiC&GaNDevicePhysicsandTechnology;
3.半導(dǎo)體缺陷物理學(xué)SemiconductorDefectPhysics;
4.集成電路技術(shù)Si3DP/GSIcTechnologies
課題組重視學(xué)術(shù)交流、國(guó)際化和對(duì)外合作，近五年，指導(dǎo)研究生在國(guó)際頂級(jí)學(xué)術(shù)期刊發(fā)表學(xué)術(shù)論文十余篇，培養(yǎng)的研究生多次獲得博士生優(yōu)秀論文單項(xiàng)獎(jiǎng)學(xué)金和國(guó)家優(yōu)秀學(xué)生獎(jiǎng)學(xué)金，深受業(yè)界歡迎。
Prof.DejunWANGreceivedtheB.S.andM.S.degreeinsemiconductorsfromJilinUniversity,Changchun,China;andthePh.D.degreeinmaterialssciencefromTsinghuaUniversity,Beijing,China.HehasworkedinPekingUniversity,NagoyaUniversityandNaraInstituteofScienceandTechnology.
Prof.WangjoinedDalianUniversityofTechnology(DUT)in2004asaprofessorinthefieldofmicroelectronics.Hisresearchinterestsaresemiconductordefectphysics,semiconductorSiC&GaNdevicephysicsandtechnology,Si3DP/GSIctechnologies,sensorchip,andintelligentelectronicsafetycontrol.TherecentworkmainlyincludesthephysicsandtechnologyofSiO2/SiCinterfaces,metal-SiCcontacts,oxidationtechnologyofSiCsemiconductor,andthedevelopmentofGaNpowerdevices.
Publications
[10]劉冰冰等.PassivationofSiCsurface.AppliedPhysicsLetters,104:202101(2014)
[09]江..瀅等.FieldisolationforGaNMOSFETs.Semicond.Sci.&Tech.,29:055002(2014)
[08]王青鵬等.CharacterizationofGaNMOSFETs.IEEETrans.onElectronDevices,61:498(2014)
[07]朱巧智等.Electricalandphysicalpropertiesof4H-SiCMOSinterface.PhysicaB,432:89(2014)
[06]李文波等.OxidationofstepedgesonSiCsurfaces.AppliedPhysicsLetters,103:211603(2013)
[05]朱巧智等.PassivationofSiO2/SiCinterfacetraps.AppliedPhysicsLetters,103:062105(2013)
[04]黃玲琴等.Barrierofmetal/SiCcontacts.AppliedPhysicsLetters,103:033520(2013)
[03]李文波等.InsightintotheOxidationanddefectsofSiC.PhysicalReviewB,87:085320(2013)
[02]黃玲琴等.SiCOhmiccontacts.AppliedPhysicsLetters,100:263503(2012)
[01]朱巧智等.SiO2/SiCinterfacetransitionregion.AppliedPhysicsLetters,99:082102(2011)
譯著：《半導(dǎo)體材料與器件表征技術(shù)》，大連理工大學(xué)出版社，2008年6月
原著：《SemiconductorMaterialandDeviceCharacterization》byDieterK.Schroder

[科研工作]
。
研究方向:
1.傳感器與傳感網(wǎng)；飛行器智能電子控制及安全SensorChip,Intelligentelectronicsafetycontrol
2.半導(dǎo)體SiC、GaN器件科學(xué)SemiconductorSiC&GaNDevicePhysicsandTechnology
3.半導(dǎo)體缺陷物理學(xué)SemiconductorDefectPhysics
4.集成電路技術(shù)Si3DP/GSIcTechnologies
課題組重視學(xué)術(shù)交流、國(guó)際化和對(duì)外合作，近五年，指導(dǎo)研究生在國(guó)際頂級(jí)學(xué)術(shù)期刊發(fā)表學(xué)術(shù)論文十余篇，培養(yǎng)的研究生多次獲得博士生優(yōu)秀論文單項(xiàng)獎(jiǎng)學(xué)金和國(guó)家優(yōu)秀學(xué)生獎(jiǎng)學(xué)金，深受業(yè)界歡迎。
Prof.DejunWANGreceivedtheB.S.andM.S.degreeinsemiconductorsfromJilinUniversity,Changchun,ChinaandthePh.D.degreeinmaterialssciencefromTsinghuaUniversity,Beijing,China.HehasworkedinPekingUniversity,NagoyaUniversityandNaraInstituteofScienceandTechnology.
Prof.WangjoinedDalianUniversityofTechnology(DUT)in2004asaprofessorinthefieldofmicroelectronics.Hisresearchinterestsaresemiconductordefectphysics,semiconductorSiC&GaNdevicephysicsandtechnology,Si3DP/GSIctechnologies,sensorchip,andintelligentelectronicsafetycontrol.TherecentworkmainlyincludesthephysicsandtechnologyofSiO2/SiCinterfaces,metal-SiCcontacts,oxidationtechnologyofSiCsemiconductor,andthedevelopmentofGaNpowerdevices.
Publications
[10]劉冰冰等.PassivationofSiCsurface.AppliedPhysicsLetters,104:202101(2014)
[09]江..瀅等.FieldisolationforGaNMOSFETs.Semicond.Sci.&Tech.,29:055002(2014)
[08]王青鵬等.CharacterizationofGaNMOSFETs.IEEETrans.onElectronDevices,61:498(2014)
[07]朱巧智等.Electricalandphysicalpropertiesof4H-SiCMOSinterface.PhysicaB,432:89(2014)
[06]李文波等.OxidationofstepedgesonSiCsurfaces.AppliedPhysicsLetters,103:211603(2013)
[05]朱巧智等.PassivationofSiO2/SiCinterfacetraps.AppliedPhysicsLetters,103:062105(2013)
[04]黃玲琴等.Barrierofmetal/SiCcontacts.AppliedPhysicsLetters,103:033520(2013)
[03]李文波等.InsightintotheOxidationanddefectsofSiC.PhysicalReviewB,87:085320(2013)
[02]黃玲琴等.SiCOhmiccontacts.AppliedPhysicsLetters,100:263503(2012)
[01]朱巧智等.SiO2/SiCinterfacetransitionregion.AppliedPhysicsLetters,99:082102(2011)
譯著：《半導(dǎo)體材料與器件表征技術(shù)》，大連理工大學(xué)出版社，2008年6月
原著：《SemiconductorMaterialandDeviceCharacterization》byDieterK.Schroder

[教育背景]
1997.92000.7大連理工大學(xué)應(yīng)用化學(xué)碩士1988.91992.7吉林化工學(xué)院化學(xué)工程學(xué)士

大連理工大學(xué)

本文來源：http://alternativeofficeassistance.com/dalianligongdaxue/daoshi_520365.html