福州大學(xué)物理與信息工程學(xué)院導(dǎo)師：黃世震 正文

　　姓名：黃世震　　
　　性別：男　　
　　職稱：副教授　
　　學(xué)院：物理與信息工程學(xué)院
　

　　個人簡介：

　　黃世震高級工程師，男，福建省閩清縣人，中共黨員，碩士生導(dǎo)師。現(xiàn)任“福建省微電子集成電路重點實驗室”主任、“福建省集成電路設(shè)計中心”副主任、“福建省集成電路行業(yè)分協(xié)會”理事、IEEE會員，任職于福州大學(xué)氣敏傳感器研究所，多年來從事氣敏傳感器研究、納米功能材料及集成電路設(shè)計研究。

　　先后主持和參加：“福建省微電子集成電路重點實驗室建設(shè)”、“硅平面微氣敏傳感器及氣敏專用集成電路的研究”、“納米WO3材料NO2氣敏機理研究及應(yīng)用”、“數(shù)字調(diào)諧芯片的研制”、“半導(dǎo)體芯片化工藝過程中的相關(guān)電化學(xué)問題研究”、“扶持IC設(shè)計產(chǎn)業(yè)發(fā)展的政策研究”、 “氣敏傳感器系列產(chǎn)業(yè)化前期關(guān)鍵技術(shù)研究”、 “基于霍耳效應(yīng)的氣敏傳感器的研究”等20多項國家自然基金、福建省自然基金、福建省科技重點項目等科研課題。

　　主持完成“CQD-NO2二氧化氮氣敏元件研制”、 “CQD-NH3氨氣氣敏元件研制”等二項科研課題，通過福建省科技廳鑒定，分別達到國內(nèi)領(lǐng)先水平和國內(nèi)先進水平。

　　先后發(fā)表：《納米SnO_2材料的電子顯微鏡表征》、《納米WO3氯化氫氣體傳感器的研究》、《溶膠-凝膠法制備納米SnO2微晶生長的電鏡表征》、《納米三氧化鎢材料的制備及其結(jié)構(gòu)性能分析》、《Design of a broadband LNA for TV tuner》、《A Design of High PSRR CMOS Voltage Reference Based on Subthreshold MOSFETs》、《基于KEELOQ跳碼技術(shù)的密碼系統(tǒng)設(shè)計》等40多篇學(xué)術(shù)論文。
同時承擔(dān)大學(xué)本科生“科技英語”、“專業(yè)英語”、“科技交流英語聽說教程”、“大學(xué)物理”(雙語)等課程教學(xué)工作。
 

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