桂林電子科技大學(xué)信息與通信學(xué)院導(dǎo)師：李海鷗

發(fā)布時(shí)間：2021-11-20 編輯：考研派小莉推薦訪問：

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桂林電子科技大學(xué)信息與通信學(xué)院導(dǎo)師：李海鷗正文

[導(dǎo)師姓名]
李海鷗

[所屬院校]
桂林電子科技大學(xué)

[基本信息]
導(dǎo)師姓名：李海鷗
性別：
人氣指數(shù)：5412
所屬院校：桂林電子科技大學(xué)
所屬院系：信息與通信學(xué)院
職稱：教授
導(dǎo)師類型：碩導(dǎo)/博導(dǎo)
招生專業(yè)：電子科學(xué)與技術(shù)、寬帶通信網(wǎng)絡(luò)與技術(shù)、集成電路工程（專業(yè)學(xué)位）
研究領(lǐng)域：微波集成電路設(shè)計(jì)、新型微波器件、功率器件、微波光子、薄膜器件

[通訊方式]
電子郵件：lihaiou@guet.edu.cn

[個(gè)人簡(jiǎn)述]
湖南婁底人，工學(xué)博士，教授，博士生導(dǎo)師，教育部 “新世紀(jì)優(yōu)秀人才支持計(jì)劃”人選、廣西“新世紀(jì)十百千人才工程第二層次”人選、廣西“杰出青年基金”獲得者、入選桂林電子科技大學(xué)首屆“英才計(jì)劃”。1997年7月畢業(yè)于湖南大學(xué)電氣系，專業(yè)電子工程。2003年4月畢業(yè)于湖南大學(xué)信息與工程學(xué)院，專業(yè)電工理論與新技術(shù)，獲工學(xué)碩士學(xué)位。2006年5月畢業(yè)于中國(guó)科學(xué)院微電子研究所，專業(yè)微電子學(xué)與固體電子學(xué)，獲工學(xué)博士學(xué)位。2006.6~2010.12期間在香港科技大學(xué)首席教授KeiMay Luo實(shí)驗(yàn)室（PTC）做博士后（第一站）；2011.12-2015.5期間中國(guó)電子科技集團(tuán)58所于宗光首席專家團(tuán)隊(duì)做博士后（第二站）；2014.9-2015.9美國(guó)普渡大學(xué)Prof.Ye 團(tuán)隊(duì)做訪問學(xué)者。2010年12月至今，任教桂林電子科技大學(xué)信息與通信學(xué)院。近五年主持國(guó)家/省部級(jí)等項(xiàng)目19項(xiàng)，其中包括國(guó)家自然科學(xué)基金面上項(xiàng)目?jī)身?xiàng)、廣西杰出青年自然科學(xué)基金1項(xiàng)、教育部新世紀(jì)優(yōu)秀人才項(xiàng)目1項(xiàng)、廣西自然基金（重點(diǎn)）1項(xiàng)等，科研總經(jīng)費(fèi)約600多萬。在國(guó)內(nèi)外學(xué)術(shù)刊物上發(fā)表研究論文50多篇，以第一作者或通訊作者發(fā)表SCI檢索論文16篇，包括微電子學(xué)頂級(jí)刊物IEEE Electron Device Letters發(fā)表論文3篇。授權(quán)國(guó)家發(fā)明專利8項(xiàng)。出版專著《射頻/微波功率新型器件導(dǎo)論》1部（第二），獲得廣西自然科學(xué)二等獎(jiǎng)1項(xiàng)（排名第一），中國(guó)電子科技集團(tuán)技術(shù)發(fā)明二等獎(jiǎng)1項(xiàng)（排名第三）。 1、2006年入選“香港內(nèi)地人才輸入計(jì)劃”；2、2013年教育部“新世紀(jì)優(yōu)秀人才支持計(jì)劃”入選者；3、2013年廣西“杰出青年基金”獲得者；4、2014年為桂林電子科技大學(xué)學(xué)術(shù)帶頭人；5、2015年廣西第十八批“新世紀(jì)十百千人才工程”第二層次人選；6、2017年桂林電子科技大學(xué)首屆“英才計(jì)劃”人選；7、2018年廣西區(qū)優(yōu)秀專家人選。

[科研工作]
（1）Haiou Li（李海鷗）, Yue Li, Gongli Xiao, Xi Gao, Qi Li, Yonghe Chen, Tao Fu, Tangyou Sun, Fabi Zhang*, and Naisen Yu*, Simple Fabrication ZnO/β-Ga2O3 Core/Shell Nanorod Arrays and Their Photoresponse Properties, Optical Materials Express, 2018, 8(4):794-803（2）Xi Gao, Leena Singh, Wanli Yang, Jingjing Zheng, Haiou Li*（李海鷗） & Weili Zhang, Bandwidth broadening of a linear polarization converter by near-field metasurface coupling, Scientific Reports, 2017, 7(1): 1-8（3）XI GAO, WANLI YANG, WEIPING CAO, MING CHEN, YANNAN JIANG, XINHUA YU, AND HAIOU LI*（李海鷗）, Bandwidth broadening of a graphene-based circular polarization converter by phase compensation, OPTICS EXPRESS, 2017, 25(20): 23945-23954（4）Weihua Kang, Xiaodong Zhang, Xian Ji, Yong Cai, Jiahui Zhou, Wenjun Xu, Qi Li, Gongli Xiao, Baoshun Zhang and Haiou Li*（李海鷗）, Fabrication of 45-nm high In component metamorphic In0.7Ga0.3As/In0.6Ga0.4As composite channel HEMTs on GaAs substrates, Electronics Letters, 2016, 52(4): 318-319（5）Xiao-fengWu，Shi-gang Hu，H.O. Li*（李海鷗）, Jin Li，Zai-fang Xi，Ying-lu Hu, A Kind of Coating Method of GaN-MOCVD Graphite Susceptor，Journal of nanomaterials, 2015, 24(3): 037203-037206（6）WU XiaoFeng，LIU HongXia， H.O. Li*（李海鷗），LI Qi，HU ShiGang，XI ZaiFang， ZHAO Jin, Fabrication of 150-nm Al0.48In0.52As/Ga0.47In0.53As HEMTs on GaAs substrates，SCIENCE CHINA Physics, Mechanics & Astronomy, 2012, 55(12): 2389-2391（7）Ming Li, H.O. Li（李海鷗）, Chak Wah Tang, and Kei May Lau*, S. Lawrence Zipursky*, Fabrication of 100-nm Metermorphic AlInAs/GaInAs HEMTs on Si Substrate by MOCVD,IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2012, 33(4): 498-500（8）HaiOu LI（李海鷗）, HUANG Wei*, LI QiLI SiMin, JIANG Xi, TANG ChakWah, LAU KeiMay, Fabrication of 0.3-μm T-gate Metamorphic AlInAs/GaInAs HEMTs on Silicon Substrates Using Metal Organic Chemical Vapor Deposition, SCIENCE CHINA Physics, Mechanics & Astronomy, 2012, 55(4): 644-648（9）H.O. Li（李海鷗）, Zhihong Feng，C.W. Tang, K.J. Chen, and K.M. Lau*, Fabrication of 150-nm T-Gate Metamorphic AlInAs/ GaInAs HEMTs on GaAs Substrates by MOCVD, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2011, 32(9):1224-1226（10）H.O. Li（李海鷗）, C.W. Tang, K.J. Chen, and K.M. Lau*, Metamorphic AlInAs/GaInAs HEMTs on GaAs substrates by MOCVD, IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2008, 29(6):561-564 1. 廣西自然科學(xué)基金項(xiàng)目（重點(diǎn)）,常關(guān)型GaN功率器件制備和模型研究(2016GXNSFDA380021,2016.09- 2020.082.國(guó)家自然科學(xué)基金面上項(xiàng)目，61474031，硅襯底上III-V族異質(zhì)結(jié)材料生長(zhǎng)機(jī)制和HEMT器件制備，2015/01-2018/12，89萬元，在研，主持3.廣西第十八批“新世紀(jì)十百千人才工程”第二層次人選，2015年，電子科學(xué)與技術(shù)4.國(guó)家自然科學(xué)基金面上項(xiàng)目，61274077，硅基GaN HEMTs 超級(jí)結(jié)器件及其模型研究，2013/01-2016/12，86萬元，已結(jié)題，主持5.中國(guó)博士后科學(xué)基金委（特別資助）,硅基高遷移率III-V族半導(dǎo)體材料和器件研究（2013T60566）,2013.06-2014.05 6.教育部“新世紀(jì)優(yōu)秀人才支持計(jì)劃”獲得者，2013年，電子科學(xué)與技術(shù)

[教育背景]
1997.7 畢業(yè)于湖南大學(xué)，電子工程專業(yè)，大學(xué)；2003.4 畢業(yè)于湖南大學(xué)，電工理論與新技術(shù)，碩士；2006.6 畢業(yè)于中科院微電子研究所，微電子學(xué)與固體電子學(xué)，博士；2006-6-2010.12 香港科技大學(xué)，電子與計(jì)算機(jī)工程系，博士后（第一站）；2011.12-2014.12 中國(guó)電子科技集團(tuán)58所，博士后（第二站）；2014.9-2015.9 美國(guó)普渡大學(xué)，訪問學(xué)者 以上老師的信息來源于學(xué)校網(wǎng)站，如有更新或錯(cuò)誤，請(qǐng)聯(lián)系我們進(jìn)行更新或刪除，聯(lián)系方式

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