2021年寧波大學(xué)碩士研究生招生考試復(fù)試科目

    考　試　大　綱

    科目代碼、名稱:集成電路工藝原理

    一、考試形式與試卷結(jié)構(gòu)

    （一）試卷滿分值及考試時(shí)間

    本試卷滿分為100分，考試時(shí)間為120分鐘。

    （二）答題方式

    答題方式為閉卷、筆試。試卷由試題和答題紙組成；答案必須寫在答題紙（由考點(diǎn)提供）相應(yīng)的位置上。

    （三）題型結(jié)構(gòu)

    簡(jiǎn)答題和綜合題。

    二、考試科目簡(jiǎn)介

    集成電路工藝原理課程是微電子學(xué)、電子科學(xué)與技術(shù)和其他相關(guān)專業(yè)的理論基礎(chǔ)課。作為微電子科學(xué)專業(yè)的碩士研究生，要求對(duì)于集成電路工藝中涉及的基本概念及原理有比較深入的了解和掌握。以當(dāng)代超大規(guī)模集成電路的小尺寸特征為切入點(diǎn)，圍繞抑制小尺寸效應(yīng)的現(xiàn)代工藝技術(shù)，展開介紹了目前較為成熟的集成電路制造工藝技術(shù)，重點(diǎn)考試核心工序及關(guān)鍵制造工藝過程的基本原理，其中包括氧化、擴(kuò)散、離子注入、薄膜淀積、光刻、刻蝕、金屬化工藝以及工藝集成等內(nèi)容。

    三、考試內(nèi)容及具體要求

    （一）熟練掌握集成電路制造技術(shù)的發(fā)展歷程，集成電路制造技術(shù)特點(diǎn)，其中包括：集成電路的分類及其特點(diǎn)，摩爾定律，制備技術(shù)要求和面臨的挑戰(zhàn)與發(fā)展機(jī)遇。

    （二）熟練掌握集成電路制造工藝過程中材料的特性與制備，其中包括：硅晶體的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)，硅晶體中的雜質(zhì)和缺陷，多晶硅的制備與純化，單晶硅的生長(zhǎng)與切片。

    （三）熟練掌握薄膜淀積的基本原理，其中包括：外延技術(shù)（氣相外延、分子束外延、液相外延，外延缺陷與外延層檢測(cè)），化學(xué)氣相淀積（CVD工藝原理、工藝方法，CVD生長(zhǎng)二氧化硅、氮化硅以及多晶硅薄膜），物理氣相淀積（真空系統(tǒng)、真空蒸鍍、濺射原理、等離子體）。

    （四）熟練掌握熱氧化的基本原理，其中包括：硅的熱氧化，初始氧化階段及薄氧化層制備，熱氧化過程中雜質(zhì)的再分布，氧化層質(zhì)量及檢測(cè)。

    （五）熟練擴(kuò)散和離子注入等摻雜技術(shù)的基本原理，其中包括：晶體中熱擴(kuò)散的基本特點(diǎn)與宏觀動(dòng)力學(xué)方程，雜質(zhì)的擴(kuò)散摻雜，影響雜質(zhì)分布的因素。離子注入的原理，注入離子在靶中的分布，注入損傷，離子注入設(shè)備與工藝，摻雜新技術(shù)。

    （六）熟練掌握光刻工藝和光刻技術(shù)的基本原理，其中包括：光刻工藝基本流程，光刻膠，正性與負(fù)性光刻，對(duì)準(zhǔn)與曝光技術(shù)，顯影，光刻設(shè)備，光學(xué)分辨率增強(qiáng)技術(shù)，光刻掩模版，熟悉光刻技術(shù)中的常見問題。

    （七）熟練掌握刻蝕技術(shù)的基本原理，其中包括：濕法刻蝕和干法刻蝕，刻蝕工藝要求，刻蝕應(yīng)用舉例，刻蝕技術(shù)新進(jìn)展。

    （八）熟練掌握金屬化與互連的基本原理，其中包括：硅-金屬的接觸，鎢填充塞，Cu金屬互連，CMP工藝和多層互連等。

    （九）了解工藝集成與監(jiān)控、封裝與測(cè)試的基本原理：CMOS集成電路工藝，雙極型集成電路工藝，工藝實(shí)時(shí)監(jiān)控與檢測(cè)，集成結(jié)構(gòu)測(cè)試圖形、芯片封裝技術(shù)，集成電路測(cè)試技術(shù)。

    四、參考教材或主要參考書

    1.《現(xiàn)代集成電路制造工藝原理》李惠軍等編，山東大學(xué)出版社，2006年；

    2.《集成電路制造技術(shù)-原理與工藝》王蔚等編，電子工業(yè)出版社，2013年。

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