寧波大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院導(dǎo)師：呂業(yè)剛

發(fā)布時間：2021-11-20 編輯：考研派小莉推薦訪問：

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寧波大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院導(dǎo)師：呂業(yè)剛正文

[導(dǎo)師姓名]
呂業(yè)剛

[所屬院校]
寧波大學(xué)

[基本信息]
導(dǎo)師姓名：呂業(yè)剛
性別：男
人氣指數(shù)：1275
所屬院校：寧波大學(xué)
所屬院系：信息科學(xué)與工程學(xué)院
職稱：副教授
導(dǎo)師類型：
招生專業(yè)：通信與信息系統(tǒng)、電子與通信工程
研究領(lǐng)域：微納存儲器件

[通訊方式]
辦公電話：0574-87609873
電子郵件：lvyegang@nbu.edu.cn

[個人簡述]
呂業(yè)剛，男，1982年出生于湖南。主要從事相變存儲器、硫系納米線及微納器件的相關(guān)研究，在Nano lett., APL等知名期刊上發(fā)表SCI學(xué)術(shù)論文30余篇，獲得國家授權(quán)發(fā)明專利7件，2014年獲得上海市優(yōu)秀研究生成果獎(學(xué)位論文)，2017年被評為“寧波大學(xué)最受歡迎的青年教師”。
研究方向:相變存儲器、硫系納米線制備及其微納器件
擬招生專業(yè)及人數(shù)：通信與信息系統(tǒng)或電子與通信工程碩士研究生1名
主要經(jīng)歷及任職：
2013．05-至今，寧波大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院
2014.06-2014.12，德國卡爾斯魯厄理工學(xué)院訪問學(xué)者
2010.03-2013.01，中科院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所，微電子學(xué)，工學(xué)博士學(xué)位；
2000.09-2007.07，湘潭大學(xué)，測控技術(shù)與物理電子學(xué)，工學(xué)學(xué)士與碩士學(xué)位；

[科研工作]
[1] Lu Y., Stegmaier M., Nukala P., Giambra M. A., Ferrari S., Busacca A., Pernice W. H. P., and Agarwal R. Mixed-Mode Operation of Hybrid Phase-Change Nanophotonic Circuits. Nano. Lett., 2017, 17(1): 150-155.
[2] Lu Y., Wang M., Song S., Xia M., Jia Y., shen X., Wang G., Dai S., and Song Z. Multilevel data storage in multilayer phase change material. Appl. Phys. Lett., 2016, 109(17): 173103.
[3] Li Z., Lu Y., Ma Y., Song S., Shen X., Wang G., Dai S., and Song Z. Changes in electrical and structural properties of phase-change Ge-Sb-Te films by Zr addition. J Non-Cryst Solids, 2016, 452: 9-13.
[4] Lu Y., Song S., Shen X., Song Z., Wang G., and Dai S. Study on phase change properties of binary GaSb doped Sb–Se film. Thin Solid Films, 2015, 589(0): 215-220.
[5] Wang M., Lu Y., Shen X., Wang G., Li J., Dai S., Song S., and Song Z. Effect of Sb2Se on phase change characteristics of Ge2Sb2Te5. Crystengcomm, 2015, 17(26): 4871-4876.
[6] Lu Y., Song S., Shen X., Wu L., Song Z., Liu B., Dai S., and Nie Q. Investigation of Ga8Sb34Se58 Material for Low-Power Phase Change Memory. ECS Solid State Letters, 2013, 2(10): P94-P96.
[7] Lu Y., Song S., Shen X., Song Z., Wu L., Wang G., and Dai S. Low-power phase change memory with multilayer TiN/W nanostructure electrode. Appl. Phys. A-Mater. Sci. Process., 2014, 117(4): 1933-1940.
[8] Lu Y., Song S., Shen X., Wang G., Wu L., Song Z., Liu B., and Dai S. Phase change characteristics of Sb-rich Ga–Sb–Se materials. J. Alloys Compd., 2014, 586(0): 669-673.
[9] Ma Y., Lu Y., Li Z., Shen X., Wang G., Liu Y., and Dai S. Tunable Phase-Change Performance of Sb-Te-Se Film for Phase Change Memory. ECS Journal of Solid State Science and Technology, 2015, 5(3): P160-P163.
[10] Lu Y., Zhang Z., Song S., Shen X., Wang G., Cheng L., Dai S., and Song Z. Performance improvement of Ge-Sb-Te material by GaSb doping for phase change memory. Appl. Phys. Lett., 2013, 102(24): 241907.
主持國家自然科學(xué)基金兩項、省部級兩項等。

[教育背景]
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