2021天津理工大學半導體物理專業(yè)研究生考試大綱和參考書目

發(fā)布時間：2020-11-03 編輯：考研派小莉推薦訪問：

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2021天津理工大學半導體物理專業(yè)研究生考試大綱和參考書目正文

天津理工大學2021年碩士研究生入學初試考試大綱
學院（蓋章）：電氣電子工程學院
考試科目名稱：半導體物理

一、考試方式
考試采用筆試方式，考試時間為180分鐘，試卷滿分為150分。

二、試卷結構與分數(shù)比重
試題分為名詞解釋、簡答題、證明題、計算題、論述題等。其中：名詞解釋占20%，簡答題占30%，證明題占10%，計算題占10%，論述題占30%。

三、考查的知識范圍

1．半導體中的電子狀態(tài)（10％）：能帶論，半導體中的電子運動、有效質(zhì)量，本征半導體的導電機制、空穴，鍺、硅、砷化鎵和鍺硅的能帶結構。
2．載流子的統(tǒng)計分布（15％）：狀態(tài)密度，費米能級和載流子的統(tǒng)計分布，本征半導體的載流子濃度，雜質(zhì)半導體的載流子濃度。一般情況下的載流子的統(tǒng)計分布。
3．半導體的導電性（15％）：載流子的漂移運動，載流子的散射，遷移率與雜質(zhì)濃度和溫度的關系，玻爾茲曼方程；強電場效應，熱載流子。
4．非平衡載流子（20％）：非平衡載流子的注人與復合，非平衡載流子的壽命，準費米能級，復合理論，陷阱效應，載流子的擴散運動、連續(xù)性方程。
5．PN結（15％）：PN結及其能帶圖，PN結電流電壓特性。
6．金屬和半導體的接觸（10％）：金屬和半導體接觸的整流理論，少數(shù)載流子的注入，歐姆接觸。
7．半導體表面與MIS結構（15％）：表面電場效應，理想與非理想的MIS結構的C-V特性，Si-SiO₂系統(tǒng)的性質(zhì)，表面電導。

四、參考書目
《半導體物理學》（第7版），劉恩科主編，電子工業(yè)出版社

學院研究生招生領導小組組長簽字：

天津理工大學

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