中國(guó)計(jì)量大學(xué)光電學(xué)院導(dǎo)師：舒海波 正文

　　基本信息
　　姓名：舒海波
　　性別：男
　　學(xué)位：博士
　　職稱：講師
　　一級(jí)學(xué)科：電子科學(xué)與技術(shù)
　　二級(jí)學(xué)院：光學(xué)與電子科技學(xué)院
　　一級(jí)學(xué)科2：電子科學(xué)與技術(shù)
　　二級(jí)學(xué)科2：微電子學(xué)與固體電子學(xué)
　　研究方向：低維光電子納米材料計(jì)算與設(shè)計(jì)、石墨烯和碳納米管生長(zhǎng)、半導(dǎo)體中的雜質(zhì)和缺陷物理
　　辦公地點(diǎn)：賽博南樓207-1
　　辦公電話：057186875622
　　Email：shuhaibo@cjlu.edu.cn

　　在研課題
　　浙江省自然科學(xué)基金一般項(xiàng)目“砷化銦納米線P型摻雜激活的微觀途徑與輸運(yùn)性質(zhì)的研究” 項(xiàng)目編號(hào)：Y1110777

　　獲獎(jiǎng)情況
　　2012年 中科院優(yōu)秀博士論文
　　2011年 中科院院長(zhǎng)特別獎(jiǎng)

　　近期發(fā)表的主要成果
　　代表性論文（挑選發(fā)表，2011影響因子）
　　1．Haibo Shu, Xiaoshuang Chen, Xiaoming Tao, Feng Ding,“Structural stability and growth kinetics of graphene edges in chemical vapor deposition (CVD) growth”. ACS Nano 6, 3243. (2012) (IF = 11.421)
　　2．Qinghong Yuan#, Junfeng Gao#, Haibo Shu#, Jijun Zhao, Xiaoshuang Chen, and Feng Ding,“Magic carbon clusters in the chemical vapor deposition (CVD) growth of graphene”, (#Equal contribution) J. Am. Chem. Soc. 134, 2970 (2012) (IF = 9.907)
　　3．Haibo Shu, Dan Cao, Pei Liang, Shangzhong Jin, Xiaoshuang Chen, and Wei Lu,“Effect of molecular passivation on the doping of InAs nanowires”, J. Phys. Chem. C 116, 17928 (2012) (IF = 4.805)
　　4．Haibo Shu, Pei Liang, Le Wang, Xiaoshuang Chen, and Wei Lu,“Tailoring electronic properties of InAs nanowires by surface functionalization” J. Appl. Phys. 110, 103713 (2011) (IF = 2.168)
　　5．Haibo Shu, Xiaoshuang Chen, Zongling Ding, Ruibin Dong, and Wei Lu,“First principles study of the doping of InAs nanowires: Role of surface dangling bonds”, J. Phys. Chem. C 115, 14449 (2011) (IF = 4.805)
　　6．Haibo Shu, Xiaoshuang Chen, Huxian Zhao, Xiaohao Zhou and Wei Lu,“Structural stability and electronic properties of InAs nanowires and nanotubes : Effects of surface and size.” J. Phys. Chem. C 114, 17514 (2010) (IF = 4.805)
　　7．Haibo Shu, Xiaoshuang Chen, Xiaohao Zhou, Zongling Ding, and Wei Lu,“First principles Study of Initial Growth of InP Nanowires: Self-Catalytic Effect and Nucleation Mechanism of In Adatoms.” J. Phys. Chem. C 114, 10195 (2010) (IF = 4.805)
　　8．Haibo Shu, Xiaoshuang Chen, and Wei Lu,“Catalytic effect and nucleation stability of Au on GaAs(111)B surface.” J. Appl. Phys. 108, 013526 (2010) (IF = 2.168)
　　9．Haibo Shu, Xiaoshuang Chen, Ruibin Dong, Xiaofang Wang, and Wei Lu,“ Thermodynamic phase diagram for hydrogen on polar InP(111)B surfaces.” J. Appl. Phys. 107, 063516 (2010) (IF = 2.168)
　　10．Haibo Shu, Xiaoshuang Chen, Xiaohao Zhou, and Wei Lu,“Spatial confinement of carriers and tunable band structures in InAs/InP core-shell nanowires.” Chem. Phys. Lett. 495, 261 (2010) (IF = 2.337)
　　詳細(xì)發(fā)表見(jiàn)：http://www.researcherid.com/rid/B-6748-2011

　　主持完成的科研項(xiàng)目
　　中科院三期創(chuàng)新項(xiàng)目“III-V族半導(dǎo)體納米線的生長(zhǎng)機(jī)理研究”

　　個(gè)人簡(jiǎn)歷
　　舒海波，博士（后），講師。2005年畢業(yè)于湖南師范大學(xué)物理系獲理學(xué)學(xué)士，2008年湘潭大學(xué)獲工學(xué)碩士學(xué)位，2008-2011年師從上海技術(shù)物理研究所陳效雙研究元，獲微電子與固體電子學(xué)理學(xué)博士學(xué)位。博士期間曾獲中科院優(yōu)秀博士論文，中科院院長(zhǎng)特別獎(jiǎng)，上海技術(shù)物理研究所一等獎(jiǎng)學(xué)金等。2011年起在香港理工大學(xué)從事博士后研究工作，2012年8月正式在中國(guó)計(jì)量學(xué)院工作。近年來(lái)主要從事低維光電子材料改性和生長(zhǎng)機(jī)理探索方面的研究，在納米類國(guó)際頂尖期刊J.Am.Chem.Soc，ACS Nano，Nano Lett.等發(fā)表論文20多篇，全部為SCI收錄。

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