附件5：

 2021 年碩士研究生入學考試自命題科目

考試大綱

考試階段：復試 科目滿分值：100

考試科目：微電子技術基礎 科目代碼：

考試方式：閉卷筆試 考試時長：180分鐘

一、科目的總體要求

《微電子技術基礎》主要由半導體器件物理和集成電路工藝兩部分內容構成，本科目主要考察學生對《微電子技術基礎》基本概念、基本方法、基本理論的掌握，要求能解釋、分析并解決相關問題。

二、考核內容與考核要求

1、半導體能帶基礎及導電性

（1）能帶的形成（了解）；

（2）半導體中的載流子（掌握）；

（3）三維無限晶體的能帶（理解）；

（4）平衡載流子濃度（掌握）；

（5）載流子的漂移、遷移率（理解）。

2、PN結

（1）平衡PN結能帶及參數(shù)（掌握）

（2）正偏、反偏PN結（理解）

3、雙極型晶體管

（1）晶體管工作原理（理解）；

（2）雙極型晶體管靜態(tài)特性（理解）；

4、MOSFET器件

（1）理想MOS結構（理解）

（2）MOSFET基礎（理解）

5、硅片工藝

（1）多晶硅制備（了解）；

（2）單晶硅生長原理及直拉法，晶體摻雜：（掌握）；

（3）切片工藝（理解）。

6、薄膜淀積

（1）化學氣相淀積原理（理解）；

（2）化學氣相淀積工藝方法：常壓，低壓和等離子體增強化學氣相淀積（理解）；

（3）真空蒸鍍工藝原理及蒸鍍工藝（掌握）；

（4）濺射工藝原理及直流，射頻和磁控濺射工藝（掌握）。

7、光刻與刻蝕

（1）基本光刻工藝流程（掌握）；

（2）光刻膠與曝光技術（理解）；

（3）濕法刻蝕與干法刻蝕（理解）；

（4）刻蝕技術進展（了解）；

8、雜質摻雜

（1）硅的熱氧化工藝與機理（掌握）；

（2）硅的Deal-Grove熱氧化模型（了解）；

（3）熱氧化生長速率與影響因素（理解）；

（4）擴散機制與擴散工藝條件及方法（理解）；

（5）離子注入原理與工藝流程（掌握）；

三、題型結構

考試包含多種題型：名詞解釋、簡答題、計算題。

四、其它要求

可攜帶計算器。

 

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